(回路図が手元にあることを前提に書いています)
・CPU、DRAM、BASICROM関連(メイン・ブロック右半分)
右下のμPD2364×2は、BASICROMで、その右のLS138は、アドレスデコーダ。このデコーダで、0000H〜、2000H〜、4000H〜、6000H〜のイネーブル信号を生成している。
その上のμPD4116×8は、DRAMで、その下の157は、row/column のアドレスの切り替え用のセレクタである。
μPD780の下、μPD4116の左上のLS367は、DRAMの出力イネーブル用のトライステートバッファである。
その右のLS75で、MREQNでアドレスA15、A14をラッチしている。
ここまではいいとして、その上のLS74とゲートの山がすごくわかりにくい。しかも回路に一部間違いがある。
回路の間違いは、図面の右側中央のVRASN(図面上は、V.RASの上にバー)、のすぐ左のLS04の入力信号を、ドライブする素子がない。追っていくと、全部入力にしかつながっていない。
結論からいうと、この信号は、VRAMSW2から接続されるべきで、十字交点のドットが抜けているようである。
LS74の内、下の2つで、μPD780がDRAMにアクセスするためのCAS、RASの元を生成している。それをA15、A14のラッチした値で、どのDRAMに対して、RAS、CASを生成するかを決めている。
μPD4116×8の右横に書かれているRASN(図面上は、RASの上にバー)の信号が、内蔵DRAM(C000H〜FFFFH)へのRAS信号、外部に出力しているRASNが、PC-6006上のDRAM(8000H〜BFFFH)のRAS信号である。CASは共通である。
CAS、RASは、μPD780からのアクセス以外に、6847からのアクセスのための信号があるが、単純にL有意のORを取っているだけである。これは、同時に発生することがないためである。
DRAMの出力イネーブルも、DRAMごと(8000H〜BFFFH、C000H〜FFFFH)に生成されており、μPD780からの読み出し要求に対する出力イネーブルがごちゃごちゃしたゲートの中で実現されている。ちなみにPC-6006上のDRAMに対する出力イネーブルは、外部に出力しているVRDN(図面上は、V.RDの上にバー)である。
出力イネーブルも、CAS、RASと同様に6847からの信号と単純にORされている。
2011年09月28日
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